为了精确的描述IGBT等开关器件的性能，工程师通常从参数化的向导起步，利用该向导可导入供应商提供的性能单中的IGBT性能曲线和表格数据。数据处理程序会自动提取需要的参数(大约为140个)来生成IGBT的半导体电路模型，无需手动完成。
然后，功率变换器的设计版图可以从CAD软件或者版图设计工具直接导入到Q3D Extractor工具中。Q3D Extractor从设计版图中计算导电通路的频变电阻、部分电感和电容。然后，工程师利用该工具生成等效电路模型以备在Simplorer中进行系统仿真。该模型一旦建成，就可以与半导体电路模型相结合构成IGBT的电气完整性模型。电气完整性模型可以用于电源、控制系统和负载的传导辐射分析。该仿真的结果可被HFSS用于检验辐射发射——考虑到快速通断时间序列引起的频域谐波而特别关心的一种辐射。为了确定这一影响，Simplorer的结果可作为HFSS全波电磁求解器的输入。然后，工程师可以全面地了解其辐射电磁场，并可以计算空间任意给定点的电磁场强度，并判断逆变器封装是否符合相关标准。用这种方法，工程师就可以利用Ansoft提供的工具来设计逆变器系统的电磁兼容、电磁干扰，并由其电磁性能溯源到逆变器的版图设计。由此，对设计做出参数更改，并获得一系列仿真结果，直到传导辐射和辐射电磁发射等级在可接受的限值之内为止。这种方法的价值在于：一旦完成了模型，就可以通过改变几个关键参数对设计做出修改，这使得工程师可以研究各种不同的参数方案，并在一个宽范围内做假设分析探索。

这位兄台有simplorer吗？有的话帮忙发个好不谢谢 地址也可以。邮箱 shenfengshun46551@sina.com 谢谢了

没人回复，我自己解答，HFSS版本问题，低版本的貌似不行，换了个高版本的，搞定