之前通过计算空位和间隙原子的形成能，然后通过公式计算空位浓度。
不知道Lammps里是否有命令直接统计计算体系中的点缺陷数目呢？文献中提到计算点缺陷的方法是：如果点阵位置没有原子，则为空位缺陷；如果点阵位置有两个原子则为间隙缺陷。
但是具体到lammps里应该如何计算，有没有相关的命令或是方法可以使用，请教！！

没有人可以指教吗
先自己顶一下！！

我没有做过点缺陷的统计。
但听老师讲过，LAMMPS没有直接统计缺陷的命令，需要把数据导出来，自己写程序统计。一个可行的思路是用LAMMPS输出每个原子的配位数，用配位数来判断缺陷；比如fcc单晶Cu的正常配位数是12，那么一个空位缺陷周围原子的配位数应该是11，一个间隙原子缺陷的周围原子的配位数应该是13。缺陷少的话，用VMD或者ovito直接数就行，多的话就只能写小程序来统计了。
你说的文献上是另一种思路吧，选定一个原子或者晶格位置，计算它附近的一个球体空间内的其他原子个数，其实原理和计算配位数差不多。
缺陷统计是MD损伤模拟中非常基本的功夫，技术很成熟，写程序应该不难。我也做晶体缺陷，现在还在弄zbl势能文件，没到统计缺陷的地步。
祝你成功。

非常感谢！！不过没有自己写过程序，是否有类似的小程序可以拿来学习呢！！

这个程序我真没有写过，其实我的写代码能力也很差，现在还在自学C。
我要把zbl势文件和辐照过程模拟完毕之后再写程序统计缺陷，到时我写完再发给你吧。
不过估计得两三个月之后才行。你如果赶时间的话，就赶紧请教别人吧，做过辐照缺陷的人应该都会。
其实我也是第一次做MD模拟，所以在慢慢摸索。

可以发一个统计缺陷程序给我吗？邮箱：1045959496@qq.com 谢谢了！